為了減少金屬電極遮蔭面積，MWT工藝把晶圓正面的電極通過均勻分布的許多通孔引導到晶圓的背面，從而提高了晶圓接受陽光的有效面積和電池片的效率。晶硅電池片厚度小于200um，激光鉆孔速度快，精度高，可以精確控制孔的直徑和內壁的坡度，適用于MWT工藝。

工藝特征

• 降低晶圓正面電極遮蔭面積，增加有效陽光吸收面積，提高電池片能量轉換效率

• 激光鉆孔速度快，質量高，適用于量產線

• 電池片效率可提高0.5%